casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / FS50R06W1E3B11BOMA1
codice articolo del costruttore | FS50R06W1E3B11BOMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-FS50R06W1E3B11BOMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | EasyPACK™ 1B |
FS50R06W1E3B11BOMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configurazione | Three Phase Inverter |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 70A |
Potenza - Max | 205W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 50A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 3.1nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | Yes |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FS50R06W1E3B11BOMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FS50R06W1E3B11BOMA1-FT |
FP30R06YE3BOMA1
Infineon Technologies
FP30R07U1E4BPSA1
Infineon Technologies
FP35R12KT4BOSA1
Infineon Technologies
FP35R12U1T4BPSA1
Infineon Technologies
FP35R12W2T4BOMA1
Infineon Technologies
FP40R12KT3GBOSA1
Infineon Technologies
FP50R06W2E3B11BOMA1
Infineon Technologies
FP50R07U1E4BPSA1
Infineon Technologies
FP50R12KT3BOSA1
Infineon Technologies
FP50R12KT4BOSA1
Infineon Technologies
XC4010XL-1TQ144I
Xilinx Inc.
XC6SLX100-2FGG676I
Xilinx Inc.
A3PN030-Z2VQ100
Microsemi Corporation
AT40K40-2DQC
Microchip Technology
EP20K300EFC672-2
Intel
5CEFA7F27C7N
Intel
10CL055ZF484I8G
Intel
EP3CLS70F484C8N
Intel
AX1000-2FG676I
Microsemi Corporation
A3P250-FGG144
Microsemi Corporation