casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / FS25R12W1T4B11BOMA1
codice articolo del costruttore | FS25R12W1T4B11BOMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-FS25R12W1T4B11BOMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | EasyPACK™ 1B |
FS25R12W1T4B11BOMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configurazione | Three Phase Inverter |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 45A |
Potenza - Max | 205W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.25V @ 15V, 25A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 1.45nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | Yes |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FS25R12W1T4B11BOMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FS25R12W1T4B11BOMA1-FT |
FP10R06W1E3BOMA1
Infineon Technologies
FP10R12KE3BOMA1
Infineon Technologies
FP10R12W1T4B11BOMA1
Infineon Technologies
FP10R12W1T4B29BOMA1
Infineon Technologies
FP10R12W1T4B3BOMA1
Infineon Technologies
FP10R12W1T4BOMA1
Infineon Technologies
FP10R12YT3B4BOMA1
Infineon Technologies
FP10R12YT3BOMA1
Infineon Technologies
FP15R06KL4BOMA1
Infineon Technologies
FP15R06W1E3B11BOMA1
Infineon Technologies
XC4005E-3PQ100I
Xilinx Inc.
XC2V250-6FGG456C
Xilinx Inc.
AGLN250V2-ZCSG81
Microsemi Corporation
M1A3PE3000-PQG208I
Microsemi Corporation
10AX016C4U19E3LG
Intel
10M50DAF484I6G
Intel
EP4CE22F17C8
Intel
LCMXO640E-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX190EF29I5G
Intel
EP4SGX110FF35C4
Intel