casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / FS25R12W1T4B11BOMA1
codice articolo del costruttore | FS25R12W1T4B11BOMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-FS25R12W1T4B11BOMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | EasyPACK™ 1B |
FS25R12W1T4B11BOMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configurazione | Three Phase Inverter |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 45A |
Potenza - Max | 205W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.25V @ 15V, 25A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 1.45nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | Yes |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FS25R12W1T4B11BOMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FS25R12W1T4B11BOMA1-FT |
FP10R06W1E3BOMA1
Infineon Technologies
FP10R12KE3BOMA1
Infineon Technologies
FP10R12W1T4B11BOMA1
Infineon Technologies
FP10R12W1T4B29BOMA1
Infineon Technologies
FP10R12W1T4B3BOMA1
Infineon Technologies
FP10R12W1T4BOMA1
Infineon Technologies
FP10R12YT3B4BOMA1
Infineon Technologies
FP10R12YT3BOMA1
Infineon Technologies
FP15R06KL4BOMA1
Infineon Technologies
FP15R06W1E3B11BOMA1
Infineon Technologies
XCS05XL-5VQ100C
Xilinx Inc.
XA3S1400A-4FGG484Q
Xilinx Inc.
EP4CE10F17I8L
Intel
5SGXMB5R2F40C2N
Intel
5SEE9H40I3LN
Intel
EP3SL340H1152C4LN
Intel
XC4VLX100-11FF1148C
Xilinx Inc.
LFXP20C-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50SE-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20SE-5F256I
Lattice Semiconductor Corporation