casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / FS30R06XE3BOMA1
codice articolo del costruttore | FS30R06XE3BOMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-FS30R06XE3BOMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FS30R06XE3BOMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo IGBT | - |
Configurazione | Full Bridge |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 37A |
Potenza - Max | 100W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 30A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 1.65nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | Yes |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FS30R06XE3BOMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FS30R06XE3BOMA1-FT |
FP15R06KL4BOMA1
Infineon Technologies
FP15R06W1E3B11BOMA1
Infineon Technologies
FP15R06W1E3BOMA1
Infineon Technologies
FP15R06YE3B4BOMA1
Infineon Technologies
FP15R12KE3BOMA1
Infineon Technologies
FP15R12W1T4B11BOMA1
Infineon Technologies
FP15R12W1T4B3BOMA1
Infineon Technologies
FP15R12W1T4BOMA1
Infineon Technologies
FP15R12W2T4BOMA1
Infineon Technologies
FP15R12YT3BOMA1
Infineon Technologies
A40MX02-2VQG80I
Microsemi Corporation
XA2S150E-6FT256I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-1FG256I
Microsemi Corporation
EP3C40U484I7
Intel
5SGXEA7N1F40C2
Intel
10CX220YF672E5G
Intel
10M50SCE144C8G
Intel
XC2V1500-4FFG896I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HC-4FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U4F45I3SGE2
Intel