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codice articolo del costruttore | APTGT300A120D3G |
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Numero di parte futuro | FT-APTGT300A120D3G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
APTGT300A120D3G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configurazione | Half Bridge |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 440A |
Potenza - Max | 1250W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 300A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 8mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 20nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | D-3 Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | D3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTGT300A120D3G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APTGT300A120D3G-FT |
VS-GB200TH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB200TH120U
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB300AH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB300LH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB300NH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB300TH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB300TH120U
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB400AH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB400AH120U
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB400TH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S700A-4FGG484C
Xilinx Inc.
XC3S1400AN-4FGG484I
Xilinx Inc.
A3PN030-Z2VQ100I
Microsemi Corporation
EP3C10F256I7N
Intel
EP4SE530F43I3N
Intel
5SGXEA7K3F35I3N
Intel
XC7VX690T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
A42MX09-1PLG84I
Microsemi Corporation
LFE2M70SE-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780C4L
Intel