casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / FT93C46A-IDR-B
codice articolo del costruttore | FT93C46A-IDR-B |
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Numero di parte futuro | FT-FT93C46A-IDR-B |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FT93C46A-IDR-B Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | EEPROM |
Tecnologia | EEPROM |
Dimensione della memoria | 1Kb (128 x 8, 64 x 16) |
Frequenza di clock | 2MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 10ms |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI |
Tensione - Fornitura | 1.8V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-DIP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FT93C46A-IDR-B Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FT93C46A-IDR-B-FT |
GD25Q16CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25WD80CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25D05CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25D10CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ10CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ20CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ40CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q20CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q40CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25VE16CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
LFXP3E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S15-5VQG100C
Xilinx Inc.
M2GL090-1FGG484
Microsemi Corporation
AFS250-2FG256I
Microsemi Corporation
ICE5LP2K-CM36ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED6K3F40C2LN
Intel
LFEC10E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50SE-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N2F40E2SG
Intel