casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / FS150R12KE3BOSA1
codice articolo del costruttore | FS150R12KE3BOSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-FS150R12KE3BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FS150R12KE3BOSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | NPT |
Configurazione | Three Phase Inverter |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 200A |
Potenza - Max | 700W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 150A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 5mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 10.5nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | Yes |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FS150R12KE3BOSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FS150R12KE3BOSA1-FT |
APT60GT60JR
Microsemi Corporation
APT75GN120J
Microsemi Corporation
APT75GN120JDQ3G
Microsemi Corporation
MG1250H-XN2MM
Littelfuse Inc.
MG1240H-XBN2MM
Littelfuse Inc.
MG12400D-BN2MM
Littelfuse Inc.
MG06400D-BN4MM
Littelfuse Inc.
MG12200D-BN2MM
Littelfuse Inc.
MG12100D-BA1MM
Littelfuse Inc.
MG12150D-BA1MM
Littelfuse Inc.
A3P030-QNG68
Microsemi Corporation
A54SX16P-TQ144
Microsemi Corporation
XC3S500E-4FG320I
Xilinx Inc.
XC2V80-4FGG256C
Xilinx Inc.
XC3090-100PQ208C
Xilinx Inc.
A3P1000-2FG484
Microsemi Corporation
M1A3P600-1FG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-PQG208
Microsemi Corporation
5SEE9F45I3N
Intel
LAE3-35EA-6LFN672E
Lattice Semiconductor Corporation