casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / MG12150D-BA1MM
codice articolo del costruttore | MG12150D-BA1MM |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-MG12150D-BA1MM |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MG12150D-BA1MM Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | - |
Configurazione | Half Bridge |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 210A |
Potenza - Max | 1100W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.8V @ 15V, 150A (Typ) |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 11nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | D3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MG12150D-BA1MM Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MG12150D-BA1MM-FT |
APTGFQ25H120T2G
Microsemi Corporation
APTGF90H60T3G
Microsemi Corporation
APTGF90DU60TG
Microsemi Corporation
APTGF90DH60T3G
Microsemi Corporation
APTGF90A60T1G
Microsemi Corporation
APTGF75H120TG
Microsemi Corporation
APTGF75DSK120TG
Microsemi Corporation
APTGF50X60T3G
Microsemi Corporation
APTGF50VDA60T3G
Microsemi Corporation
APTGF50VDA120T3G
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-2PQG208I
Microsemi Corporation
EP20K600EF672C1NGZ
Intel
EPF10K250EBC600-3
Intel
5SGXMA4K1F40I2N
Intel
5SEE9H40C3N
Intel
5SGXEA4H2F35I3L
Intel
A42MX09-TQ176A
Microsemi Corporation
10AX057K2F40I2LG
Intel
EP2AGX260FF35I3
Intel