casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / APT60GT60JR
codice articolo del costruttore | APT60GT60JR |
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Numero di parte futuro | FT-APT60GT60JR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Thunderbolt IGBT® |
APT60GT60JR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo IGBT | NPT |
Configurazione | Single |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 93A |
Potenza - Max | 378W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 60A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 80µA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 1.6nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | ISOTOP |
Pacchetto dispositivo fornitore | ISOTOP® |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT60GT60JR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APT60GT60JR-FT |
APTGL60DDA120T3G
Microsemi Corporation
APTGL475U120DAG
Microsemi Corporation
APTGL475U120D4G
Microsemi Corporation
APTGL475A120D3G
Microsemi Corporation
APTGL325A120D3G
Microsemi Corporation
APTGL240TL120G
Microsemi Corporation
APTGL180A120T3AG
Microsemi Corporation
APTGL180A1202G
Microsemi Corporation
APTGL120TA120TPG
Microsemi Corporation
APTGFQ25H120T2G
Microsemi Corporation
XC6SLX9-2FTG256C
Xilinx Inc.
M1A3P250-VQ100
Microsemi Corporation
10AX022E4F27E3LG
Intel
XC2VP30-6FFG896I
Xilinx Inc.
XC7A100T-L1CSG324I
Xilinx Inc.
XA7A15T-1CPG236Q
Xilinx Inc.
A42MX09-2PQ100I
Microsemi Corporation
LFEC3E-3QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFA5H4F35I3N
Intel
10AX016E4F27E3SG
Intel