casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / FR1B-TP
codice articolo del costruttore | FR1B-TP |
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Numero di parte futuro | FT-FR1B-TP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FR1B-TP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 150ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AA (SMB) |
Temperatura operativa - Giunzione | -50°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FR1B-TP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FR1B-TP-FT |
EGF1BHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGF1BHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGF1CHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGF1CHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGF1DHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGF1DHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34AHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34BHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34BHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S50AN-4TQ144I
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A100T-3FTG256E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81I
Microsemi Corporation
EP3SL70F484C4LN
Intel
10M50DAF484I7P
Intel
AGL125V2-QNG132I
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-7BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EBC356-1X
Intel