casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / EGF1BHE3_A/I
codice articolo del costruttore | EGF1BHE3_A/I |
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Numero di parte futuro | FT-EGF1BHE3_A/I |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, Superectifier® |
EGF1BHE3_A/I Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214BA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214BA (GF1) |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EGF1BHE3_A/I Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | EGF1BHE3_A/I-FT |
D255K04BXPSA1
Infineon Technologies
D255K06BXPSA1
Infineon Technologies
D255N02BXPSA1
Infineon Technologies
D255N04BXPSA1
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D255N06BXPSA1
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D270N36TXPSA1
Infineon Technologies
D3001N58TXPSA1
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D3041N58TXPSA1
Infineon Technologies
D3501N36TXPSA1
Infineon Technologies
D350SH45TXPSA1
Infineon Technologies
LCMXO640E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV200-4FG456C
Xilinx Inc.
APA450-PQG208
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484I7N
Intel
5SGXEA9K2H40C2LN
Intel
5SGXEA7K2F35I2LN
Intel
A40MX04-1PLG44
Microsemi Corporation
5CEFA2U19C7N
Intel
EP1S60F1020C6N
Intel