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Vishay Semiconductor Diodes Division EGF1DHE3_A/I

Name: EGF1DHE3_A/I
Brand: Vishay Semiconductor Diodes Division
SKU: EGF1DHE3_A/I
Price: 0.1624 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (461 reviews)

Numero parte MFG: EGF1DHE3_A/I

quantità disponibile: 64660 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.1624

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Vishay Semiconductor Diodes Division

Breve descrizione: Automotive, AEC-Q101, Superectifier® DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Diodi - Raddrizzatori - Singoli

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: EGF1DHE3_A/I.pdf

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EGF1DHE3_A/I specificazioni

codice articolo del costruttore	EGF1DHE3_A/I
Numero di parte futuro	FT-EGF1DHE3_A/I
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
EGF1DHE3_A/I Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Diodo	Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max)	200V
Corrente: media rettificata (Io)	1A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1V @ 1A
Velocità	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)	50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr	2µA @ 200V
Capacità @ Vr, F	15pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	DO-214BA
Pacchetto dispositivo fornitore	DO-214BA (GF1)
Temperatura operativa - Giunzione	-65°C ~ 175°C
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
EGF1DHE3_A/I Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	EGF1DHE3_A/I-FT

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