casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / FR157S-TP
codice articolo del costruttore | FR157S-TP |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-FR157S-TP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FR157S-TP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1.5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 40V |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 500ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | - |
Capacità @ Vr, F | 20pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AL, DO-41, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-41 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FR157S-TP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FR157S-TP-FT |
1N4448-TP
Micro Commercial Co
1N914-TP
Micro Commercial Co
1N914B-TP
Micro Commercial Co
SD101A-TP
Micro Commercial Co
SD101B-TP
Micro Commercial Co
SD101C-TP
Micro Commercial Co
SD103A-TP
Micro Commercial Co
SD103B-TP
Micro Commercial Co
SD103C-TP
Micro Commercial Co
1N6080
Microsemi Corporation
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel