casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FQPF9N50CYDTU
codice articolo del costruttore | FQPF9N50CYDTU |
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Numero di parte futuro | FT-FQPF9N50CYDTU |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | QFET® |
FQPF9N50CYDTU Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 9A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800 mOhm @ 4.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1030pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 44W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220F-3 (Y-Forming) |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack, Formed Leads |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQPF9N50CYDTU Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FQPF9N50CYDTU-FT |
FQI9N08TU
ON Semiconductor
FQI9N15TU
ON Semiconductor
FQI9N25CTU
ON Semiconductor
FQI9N50CTU
ON Semiconductor
FQI9N50TU
ON Semiconductor
FQD10N20LTM
ON Semiconductor
FQD17N08LTM
ON Semiconductor
FQD10N20LTF
ON Semiconductor
FQD17N08LTF
ON Semiconductor
FDP054N10
ON Semiconductor
XCV50-6TQ144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-256HC-4SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-45F-8BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V5-VQ100
Microsemi Corporation
EPF10K100ABC600-1
Intel
5SGXMA5K1F40C2LN
Intel
XC4013E-2HQ208I
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FF672I
Xilinx Inc.
XC6SLX9-L1CPG196C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FGG144I
Microsemi Corporation