casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FQPF9N50CYDTU
codice articolo del costruttore | FQPF9N50CYDTU |
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Numero di parte futuro | FT-FQPF9N50CYDTU |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | QFET® |
FQPF9N50CYDTU Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 9A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800 mOhm @ 4.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1030pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 44W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220F-3 (Y-Forming) |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack, Formed Leads |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQPF9N50CYDTU Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FQPF9N50CYDTU-FT |
FQI9N08TU
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FQI9N15TU
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FQI9N25CTU
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FQI9N50CTU
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FQD10N20LTM
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FDP054N10
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