casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FQD10N20LTF
codice articolo del costruttore | FQD10N20LTF |
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Numero di parte futuro | FT-FQD10N20LTF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | QFET® |
FQD10N20LTF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7.6A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360 mOhm @ 3.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 830pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta), 51W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-252, (D-Pak) |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQD10N20LTF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FQD10N20LTF-FT |
GA20JT12-247
GeneSiC Semiconductor
GA20SICP12-247
GeneSiC Semiconductor
GA50JT17-247
GeneSiC Semiconductor
GA50JT12-263
GeneSiC Semiconductor
GA10SICP12-263
GeneSiC Semiconductor
GA10JT12-263
GeneSiC Semiconductor
GA100JT17-227
GeneSiC Semiconductor
GA100JT12-227
GeneSiC Semiconductor
GA05JT12-263
GeneSiC Semiconductor
GA05JT01-46
GeneSiC Semiconductor
XC4005E-1PQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-L1CSG484I
Xilinx Inc.
A3PN060-1VQ100I
Microsemi Corporation
10AX048K2F35E2LG
Intel
EP4S100G5F45I3
Intel
A40MX02-PLG44
Microsemi Corporation
XC7A25T-2CPG238C
Xilinx Inc.
LFEC15E-4F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA3D6F31C6N
Intel
EP1S40F1508C6N
Intel