casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FQD17N08LTM
codice articolo del costruttore | FQD17N08LTM |
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Numero di parte futuro | FT-FQD17N08LTM |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | QFET® |
FQD17N08LTM Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12.9A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 6.45A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.5nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 520pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta), 40W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-252, (D-Pak) |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQD17N08LTM Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FQD17N08LTM-FT |
GA16JT17-247
GeneSiC Semiconductor
GA20JT12-247
GeneSiC Semiconductor
GA20SICP12-247
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GA50JT17-247
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GA50JT12-263
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GA10SICP12-263
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GA10JT12-263
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GA100JT17-227
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GA100JT12-227
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GA05JT12-263
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A54SX32-1TQ144M
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LFXP3E-3T100I
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A3P125-1VQG100
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5SGXEB6R3F40I3L
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Xilinx Inc.