casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FQPF8N80C
codice articolo del costruttore | FQPF8N80C |
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Numero di parte futuro | FT-FQPF8N80C |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | QFET® |
FQPF8N80C Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 8A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.55 Ohm @ 4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2050pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 59W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220F |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQPF8N80C Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FQPF8N80C-FT |
HUF75652G3
ON Semiconductor
HUF75329G3
ON Semiconductor
HUF75339G3
ON Semiconductor
HUF75343G3
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HUFA75332G3
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HUFA75345G3
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XC6SLX45-3FG676C
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XC4005L-5PQ208C
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5SGSED6K3F40C2N
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LFEC1E-4Q208C
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