casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / HUFA75339G3
codice articolo del costruttore | HUFA75339G3 |
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Numero di parte futuro | FT-HUFA75339G3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | UltraFET™ |
HUFA75339G3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 75A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12 mOhm @ 75A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 130nC @ 20V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2000pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 200W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247-3 |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HUFA75339G3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HUFA75339G3-FT |
GP2M020A050F
Global Power Technologies Group
GP1M003A050HG
Global Power Technologies Group
GP1M003A080H
Global Power Technologies Group
GP1M004A090H
Global Power Technologies Group
GP1M005A050H
Global Power Technologies Group
GP1M005A050HS
Global Power Technologies Group
GP1M007A090H
Global Power Technologies Group
GP1M008A025HG
Global Power Technologies Group
GP1M008A050HG
Global Power Technologies Group
GP1M008A080H
Global Power Technologies Group
LCMXO2-640HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S400A-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX72A-1FG484M
Microsemi Corporation
A3P250-1FG256
Microsemi Corporation
ICE40UP3K-UWG30ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE530H35C4N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C7
Intel