casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / HUFA75332G3
codice articolo del costruttore | HUFA75332G3 |
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Numero di parte futuro | FT-HUFA75332G3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | UltraFET™ |
HUFA75332G3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19 mOhm @ 60A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 85nC @ 20V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1300pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 145W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HUFA75332G3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HUFA75332G3-FT |
GP2M012A060F
Global Power Technologies Group
GP2M013A050F
Global Power Technologies Group
GP2M020A050F
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GP1M003A050HG
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GP1M003A080H
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Global Power Technologies Group
GP1M005A050HS
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GP1M007A090H
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GP1M008A025HG
Global Power Technologies Group
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Xilinx Inc.
5SGSMD5K2F40C2L
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-4BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
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Intel