casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPZ60R070P6FKSA1
codice articolo del costruttore | IPZ60R070P6FKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPZ60R070P6FKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ P6 |
IPZ60R070P6FKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 53.5A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70 mOhm @ 20.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1.72mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 100nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4750pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 391W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO247-4 |
Pacchetto / caso | TO-247-4 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPZ60R070P6FKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPZ60R070P6FKSA1-FT |
IPI80N04S306AKSA1
Infineon Technologies
IPI80N04S3H4AKSA1
Infineon Technologies
IPI80N04S404AKSA1
Infineon Technologies
IPI80N04S4L04AKSA1
Infineon Technologies
IPI80N06S207AKSA1
Infineon Technologies
IPI80N06S208AKSA1
Infineon Technologies
IPI80N06S2L05AKSA1
Infineon Technologies
IPI80N06S2L11AKSA1
Infineon Technologies
IPI80N06S3-05
Infineon Technologies
IPI80N06S3-07
Infineon Technologies
LCMXO2-7000HE-6TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX25-N3FGG484I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FG484
Microsemi Corporation
M7A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
XC4VFX40-10FF1152I
Xilinx Inc.
A40MX04-1PLG84M
Microsemi Corporation
A42MX16-2PL84I
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6U19I7N
Intel