casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPZ60R125P6FKSA1
codice articolo del costruttore | IPZ60R125P6FKSA1 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-IPZ60R125P6FKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ P6 |
IPZ60R125P6FKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 37.9A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 99 mOhm @ 14.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1.21mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3330pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 219W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO247-4 |
Pacchetto / caso | TO-247-4 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPZ60R125P6FKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPZ60R125P6FKSA1-FT |
IPI80N04S404AKSA1
Infineon Technologies
IPI80N04S4L04AKSA1
Infineon Technologies
IPI80N06S207AKSA1
Infineon Technologies
IPI80N06S208AKSA1
Infineon Technologies
IPI80N06S2L05AKSA1
Infineon Technologies
IPI80N06S2L11AKSA1
Infineon Technologies
IPI80N06S3-05
Infineon Technologies
IPI80N06S3-07
Infineon Technologies
IPI80N06S3L-05
Infineon Technologies
IPI80N06S3L-08
Infineon Technologies
XCV50-6TQ144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-256HC-4SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-45F-8BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V5-VQ100
Microsemi Corporation
EPF10K100ABC600-1
Intel
5SGXMA5K1F40C2LN
Intel
XC4013E-2HQ208I
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FF672I
Xilinx Inc.
XC6SLX9-L1CPG196C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FGG144I
Microsemi Corporation