casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPZA60R099P7XKSA1
codice articolo del costruttore | IPZA60R099P7XKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPZA60R099P7XKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ P7 |
IPZA60R099P7XKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 31A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 99 mOhm @ 10.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 530µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1952pF @ 400V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 117W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO247-4 |
Pacchetto / caso | TO-247-4 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPZA60R099P7XKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPZA60R099P7XKSA1-FT |
IPI70N10SL16AKSA1
Infineon Technologies
IPI77N06S3-09
Infineon Technologies
IPI80CN10N G
Infineon Technologies
IPI80N03S4L03AKSA1
Infineon Technologies
IPI80N03S4L04AKSA1
Infineon Technologies
IPI80N04S204AKSA1
Infineon Technologies
IPI80N04S2H4AKSA1
Infineon Technologies
IPI80N04S303AKSA1
Infineon Technologies
IPI80N04S304AKSA1
Infineon Technologies
IPI80N04S306AKSA1
Infineon Technologies
XC3S200-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC4020XL-1PQ208C
Xilinx Inc.
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
10M40DCF256C7G
Intel
5SGSED8K2F40I2N
Intel
XC2V2000-5FF896I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
A40MX04-PQG100M
Microsemi Corporation
LFEC15E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX40GF1020I6
Intel