casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPZA60R099P7XKSA1
codice articolo del costruttore | IPZA60R099P7XKSA1 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-IPZA60R099P7XKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ P7 |
IPZA60R099P7XKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 31A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 99 mOhm @ 10.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 530µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1952pF @ 400V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 117W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO247-4 |
Pacchetto / caso | TO-247-4 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPZA60R099P7XKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPZA60R099P7XKSA1-FT |
IPI70N10SL16AKSA1
Infineon Technologies
IPI77N06S3-09
Infineon Technologies
IPI80CN10N G
Infineon Technologies
IPI80N03S4L03AKSA1
Infineon Technologies
IPI80N03S4L04AKSA1
Infineon Technologies
IPI80N04S204AKSA1
Infineon Technologies
IPI80N04S2H4AKSA1
Infineon Technologies
IPI80N04S303AKSA1
Infineon Technologies
IPI80N04S304AKSA1
Infineon Technologies
IPI80N04S306AKSA1
Infineon Technologies
XC4005E-2TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-2PQ208
Microsemi Corporation
M2GL050-VFG400I
Microsemi Corporation
5SGSMD4K2F40I3LN
Intel
5SGXMABN2F45I3N
Intel
5SGXMB6R2F43C3N
Intel
EP3SE260F1152I4N
Intel
LFEC1E-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-8FN672I
Lattice Semiconductor Corporation