casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FQI5N20TU
codice articolo del costruttore | FQI5N20TU |
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Numero di parte futuro | FT-FQI5N20TU |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | QFET® |
FQI5N20TU Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.5A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2 Ohm @ 2.25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 270pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.13W (Ta), 52W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | I2PAK (TO-262) |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQI5N20TU Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FQI5N20TU-FT |
IRFH5255TR2PBF
Infineon Technologies
IRFH5255TRPBF
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IRFH5301TRPBF
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IRFH5303TR2PBF
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IRFH6200TR2PBF
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IRFH6200TRPBF
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A3P015-1QNG68
Microsemi Corporation
5SGXMA7N1F40C2N
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5SGXEA7N1F45I2N
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5SGXMB5R1F43C1N
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EP4CGX15BF14I7N
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Xilinx Inc.
LFE3-150EA-6FN1156I
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EP4SGX70HF35I3N
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