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ON Semiconductor FQD2N60CTM
- Numero parte MFG
- FQD2N60CTM
- quantità disponibile
- 64910 pezzi
- Prezzo di riferimento
- USD 0.329408
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- Data di spedizione
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- fabbricante
- ON Semiconductor
- Breve descrizione
- QFET® MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Conformità RoHS (senza piombo)
- Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
- 1 (illimitato)
- Codice data (D / C)
- Nuovo
- categoria di prodotto
- Transistor - FET, MOSFETs - Single
- Risorsa stock
- Distributore in franchising
- Garanzia
- 360 giorni di garanzia di qualità
- scheda dati
- FQD2N60CTM.pdf
FQD2N60CTM specificazioni
| codice articolo del costruttore | FQD2N60CTM |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-FQD2N60CTM |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | QFET® |
| FQD2N60CTM Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.9A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.7 Ohm @ 950mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 235pF @ 25V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta), 44W (Tc) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D-Pak |
| Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| FQD2N60CTM Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | FQD2N60CTM-FT |
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