casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FDB8444-F085
codice articolo del costruttore | FDB8444-F085 |
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Numero di parte futuro | FT-FDB8444-F085 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® |
FDB8444-F085 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 70A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5 mOhm @ 70A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 128nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 8035pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 167W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDB8444-F085 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FDB8444-F085-FT |
FQB19N20CTM
ON Semiconductor
FQB7P20TM
ON Semiconductor
FCB290N80
ON Semiconductor
FCB36N60NTM
ON Semiconductor
FCB070N65S3
ON Semiconductor
FCB110N65F
ON Semiconductor
FCB11N60TM
ON Semiconductor
FCB199N65S3
ON Semiconductor
FCB20N60FTM
ON Semiconductor
FCB20N60TM
ON Semiconductor
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8LFTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN060V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
10M25DAF256C7G
Intel
EP3SE260F1152I3
Intel
LCMXO640C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2
Intel
10AX048E2F29I1HG
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel