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ON Semiconductor FDB8874

Numero parte MFG
FDB8874
quantità disponibile
61130 pezzi
Prezzo di riferimento
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fabbricante
ON Semiconductor
Breve descrizione
PowerTrench® MOSFET N-CH 30V 121A TO-263AB
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
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FDB8874 specificazioni

codice articolo del costruttore FDB8874
Numero di parte futuro FT-FDB8874
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie PowerTrench®
FDB8874 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 21A (Ta), 121A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.7 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 72nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3130pF @ 15V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 110W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore TO-263AB
Pacchetto / caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDB8874 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio FDB8874-FT

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