casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FQAF17P10
codice articolo del costruttore | FQAF17P10 |
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Numero di parte futuro | FT-FQAF17P10 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | QFET® |
FQAF17P10 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12.4A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 6.2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 56W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-3PF |
Pacchetto / caso | TO-3P-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQAF17P10 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FQAF17P10-FT |
FQU2N50BTU-WS
ON Semiconductor
FQU2N60TU
ON Semiconductor
FQU2N80TU
ON Semiconductor
FQU2N90TU
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FQU2N90TU-AM002
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FQU30N06LTU
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FQU3N40TU
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FQU3N60CTU
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FQU3N60TU
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FQU3P20TU
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XC3S400-4TQG144C
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XC2V1500-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA450-BGG456
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AGLN030V2-ZVQG100I
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10M08SAU169A7G
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5SGXEB5R3F43C3N
Intel
A42MX24-1TQG176
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APA150-FGG144A
Microsemi Corporation
EP4SGX230DF29C3NES
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EP20K1000CF33C7N
Intel