casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FQA13N50CF_F109
codice articolo del costruttore | FQA13N50CF_F109 |
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Numero di parte futuro | FT-FQA13N50CF_F109 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | FRFET® |
FQA13N50CF_F109 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 15A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 480 mOhm @ 7.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2055pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 218W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-3PN |
Pacchetto / caso | TO-3P-3, SC-65-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQA13N50CF_F109 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FQA13N50CF_F109-FT |
BS107AG
ON Semiconductor
BS107G
ON Semiconductor
BS108G
ON Semiconductor
BS170G
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2SK3747-1E
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NDUL09N150CG
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2SK3748-1E
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FQA27N25
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FDA33N25
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XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
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M7A3P1000-FGG256I
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A40MX04-1PL68
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EP1M350F780C6
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LCMXO2-2000HE-6FTG256C
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10AX066H1F34I1SG
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