codice articolo del costruttore | BS107G |
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Numero di parte futuro | FT-BS107G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BS107G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 250mA (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 Ohm @ 200mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 60pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 350mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BS107G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BS107G-FT |
RJK6013DPE-00#J3
Renesas Electronics America
RJK6026DPE-00#J3
Renesas Electronics America
RJL5012DPE-00#J3
Renesas Electronics America
RJL6012DPE-00#J3
Renesas Electronics America
RJL6013DPE-00#J3
Renesas Electronics America
RJK4532DPD-00#J2
Renesas Electronics America
RJK5033DPD-00#J2
Renesas Electronics America
RJK4006DPD-00#J2
Renesas Electronics America
RJK5002DPD-00#J2
Renesas Electronics America
RJK5030DPD-00#J2
Renesas Electronics America
XCS20XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-3FG484I
Xilinx Inc.
A42MX36-1PQG240
Microsemi Corporation
A3P1000-2FGG484I
Microsemi Corporation
XC4020E-4HQ208I
Xilinx Inc.
XC7VX690T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX09-TQ176
Microsemi Corporation
M1A3P1000L-FGG144
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-CM36AITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230HF35C2
Intel