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ON Semiconductor FQA7N80C-F109

Name: FQA7N80C-F109
Brand: ON Semiconductor
SKU: FQA7N80C-F109
Price: 2.488 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (364 reviews)

Numero parte MFG: FQA7N80C-F109

quantità disponibile: 70060 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 2.488

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fabbricante: ON Semiconductor

Breve descrizione: QFET® MOSFET N-CH 800V 7A TO-3P

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: FQA7N80C-F109.pdf

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FQA7N80C-F109 specificazioni

codice articolo del costruttore	FQA7N80C-F109
Numero di parte futuro	FT-FQA7N80C-F109
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	QFET®
FQA7N80C-F109 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	800V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	7A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.9 Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	35nC @ 10V
Vgs (massimo)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1680pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	198W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-3PN
Pacchetto / caso	TO-3P-3, SC-65-3
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FQA7N80C-F109 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	FQA7N80C-F109-FT

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