codice articolo del costruttore | FPN630 |
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Numero di parte futuro | FT-FPN630 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FPN630 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 3A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 100mA, 1A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 100mA, 2V |
Potenza - Max | 1W |
Frequenza - Transizione | 100MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-226 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FPN630 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FPN630-FT |
JAN2N3057A
Microsemi Corporation
JAN2N3486A
Microsemi Corporation
JAN2N3737
Microsemi Corporation
JANTX2N3057A
Microsemi Corporation
JANTXV2N3737
Microsemi Corporation
JANTXV2N5582
Microsemi Corporation
JANTX2N2907AUA
Microsemi Corporation
JANTX2N2369AUB
Microsemi Corporation
JANS2N3019
Microsemi Corporation
JANTX2N3421
Microsemi Corporation
A54SX32A-FTQ144
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-4FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGZ300HF40I4N
Intel
EP3SE260H780C3N
Intel
5SGXEA4H1F35I2N
Intel
XC5VSX35T-2FF665I
Xilinx Inc.
M2GL060TS-1FGG676
Microsemi Corporation
LFE2-70E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-5BG332I
Lattice Semiconductor Corporation