casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / JAN2N3737
codice articolo del costruttore | JAN2N3737 |
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Numero di parte futuro | FT-JAN2N3737 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/395 |
JAN2N3737 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 1.5A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 900mV @ 100mA, 1A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10µA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 1A, 1.5V |
Potenza - Max | 500mW |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-206AB, TO-46-3 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-46-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN2N3737 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN2N3737-FT |
JANTX2N2219AL
Microsemi Corporation
JANTX2N2904A
Microsemi Corporation
JANTX2N2905A
Microsemi Corporation
JANTX2N3019S
Microsemi Corporation
JANTX2N3735
Microsemi Corporation
JANTX2N4033
Microsemi Corporation
JANTXV2N2219
Microsemi Corporation
JANTXV2N3501
Microsemi Corporation
JAN2N3439
Microsemi Corporation
JAN2N2905A
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000HE-5TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S1600E-4FGG484I
Xilinx Inc.
M2GL005-1VF400I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F484C2
Intel
EP4CE6E22C8N
Intel
LFE2-50E-5F672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-4FTN324I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB3G6F35C6N
Intel
EP4CE30F29I7N
Intel