casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / JANS2N3019
codice articolo del costruttore | JANS2N3019 |
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Numero di parte futuro | FT-JANS2N3019 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/391 |
JANS2N3019 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 1A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10µA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 500mA, 10V |
Potenza - Max | 800mW |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-5 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANS2N3019 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JANS2N3019-FT |
JANTXV2N2219
Microsemi Corporation
JANTXV2N3501
Microsemi Corporation
JAN2N3439
Microsemi Corporation
JAN2N2905A
Microsemi Corporation
JANTX2N3439
Microsemi Corporation
JANTX2N3440
Microsemi Corporation
JANTX2N4150S
Microsemi Corporation
JANTX2N5153
Microsemi Corporation
JANTXV2N3439
Microsemi Corporation
JANTXV2N3440
Microsemi Corporation
EPF6024ATC144-2
Intel
AGLN250V2-ZVQ100
Microsemi Corporation
EPF10K30EFI256-2
Intel
5SGXEA7K2F35I3LN
Intel
XC6VCX240T-2FFG1156C
Xilinx Inc.
A42MX09-FPLG84
Microsemi Corporation
AT40K10LV-3AJI
Microchip Technology
10AX090H2F34E1SG
Intel
5AGXFA5H4F35C5N
Intel
10AX022E3F29E1SG
Intel