casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / FP75R17N3E4B11BPSA1
codice articolo del costruttore | FP75R17N3E4B11BPSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-FP75R17N3E4B11BPSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | EconoPIM™3 |
FP75R17N3E4B11BPSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configurazione | Three Phase Inverter |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1700V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 150A |
Potenza - Max | 20mW |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 75A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 6.8nF @ 25V |
Ingresso | Three Phase Bridge Rectifier |
Termistore NTC | Yes |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FP75R17N3E4B11BPSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FP75R17N3E4B11BPSA1-FT |
APT100GF60JU2
Microsemi Corporation
APT100GF60JU3
Microsemi Corporation
APT200GN60JDQ4G
Microsemi Corporation
APT200GN60JG
Microsemi Corporation
APT30GF60JU2
Microsemi Corporation
APT35GP120JDQ2
Microsemi Corporation
APT40GF120JRDQ2
Microsemi Corporation
APT40GP90JDQ2
Microsemi Corporation
APT50GF60JU3
Microsemi Corporation
APT50GT120JRDQ2
Microsemi Corporation
XC6SLX9-2FTG256C
Xilinx Inc.
M1A3P250-VQ100
Microsemi Corporation
10AX022E4F27E3LG
Intel
XC2VP30-6FFG896I
Xilinx Inc.
XC7A100T-L1CSG324I
Xilinx Inc.
XA7A15T-1CPG236Q
Xilinx Inc.
A42MX09-2PQ100I
Microsemi Corporation
LFEC3E-3QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFA5H4F35I3N
Intel
10AX016E4F27E3SG
Intel