casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / APT35GP120JDQ2
codice articolo del costruttore | APT35GP120JDQ2 |
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Numero di parte futuro | FT-APT35GP120JDQ2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | POWER MOS 7® |
APT35GP120JDQ2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | PT |
Configurazione | Single |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 64A |
Potenza - Max | 284W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.9V @ 15V, 35A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 350µA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 3.24nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | ISOTOP |
Pacchetto dispositivo fornitore | ISOTOP® |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT35GP120JDQ2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APT35GP120JDQ2-FT |
APTGT100A60T1G
Microsemi Corporation
APTGT100A170TG
Microsemi Corporation
APTGT100A120D1G
Microsemi Corporation
APTGLQ400A120T6G
Microsemi Corporation
APTGLQ200HR120G
Microsemi Corporation
APTGLQ200H120G
Microsemi Corporation
APTGLQ100A65T1G
Microsemi Corporation
APTGLQ100A120T3AG
Microsemi Corporation
APTGL60TL120T3G
Microsemi Corporation
APTGL60DDA120T3G
Microsemi Corporation
XC4006E-2TQ144C
Xilinx Inc.
A3P1000L-FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX32A-2PQG208
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEA5N1F40C2N
Intel
10AX022E3F29I2SG
Intel
A54SX32A-2TQ100I
Microsemi Corporation
LCMXO640C-3M100I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX048E1F29I1HG
Intel
EP1SGX25FF1020C5
Intel