casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / APT200GN60JG
codice articolo del costruttore | APT200GN60JG |
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Numero di parte futuro | FT-APT200GN60JG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
APT200GN60JG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configurazione | Single |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 283A |
Potenza - Max | 682W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.85V @ 15V, 200A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 25µA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 14.1nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | ISOTOP |
Pacchetto dispositivo fornitore | ISOTOP® |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT200GN60JG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APT200GN60JG-FT |
APTGT100DA60T1G
Microsemi Corporation
APTGT100BB60T3G
Microsemi Corporation
APTGT100A60T1G
Microsemi Corporation
APTGT100A170TG
Microsemi Corporation
APTGT100A120D1G
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APTGLQ400A120T6G
Microsemi Corporation
APTGLQ200HR120G
Microsemi Corporation
APTGLQ200H120G
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APTGLQ100A65T1G
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APTGLQ100A120T3AG
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