casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / FF650R17IE4DPB2BOSA1
codice articolo del costruttore | FF650R17IE4DPB2BOSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-FF650R17IE4DPB2BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FF650R17IE4DPB2BOSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configurazione | 2 Independent |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1700V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 650A |
Potenza - Max | - |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.45V @ 15V, 650A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 5mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 54nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | Yes |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FF650R17IE4DPB2BOSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FF650R17IE4DPB2BOSA1-FT |
FF600R12IP4BOSA1
Infineon Technologies
FF600R12IE4BOSA1
Infineon Technologies
FF50R12RT4HOSA1
Infineon Technologies
FF450R12ME4BOSA1
Infineon Technologies
FF300R17ME4BOSA1
Infineon Technologies
FF200R17KE3HOSA1
Infineon Technologies
FF300R12KT4HOSA1
Infineon Technologies
FF200R06KE3HOSA1
Infineon Technologies
FF200R12KE4HOSA1
Infineon Technologies
FF200R12KT4HOSA1
Infineon Technologies
XCKU11P-1FFVE1517I
Xilinx Inc.
XC2V1000-5FG456I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FGG484I
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZQNG48I
Microsemi Corporation
APA750-BGG456I
Microsemi Corporation
XC6VLX240T-2FF1759C
Xilinx Inc.
XC6VLX365T-1FFG1156C
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LP384-CM49TR
Lattice Semiconductor Corporation