casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / FF650R17IE4DB2BOSA1
codice articolo del costruttore | FF650R17IE4DB2BOSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-FF650R17IE4DB2BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FF650R17IE4DB2BOSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | - |
Configurazione | 2 Independent |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1700V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | - |
Potenza - Max | 4150W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.45V @ 15V, 650A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 5mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 54nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | Yes |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FF650R17IE4DB2BOSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FF650R17IE4DB2BOSA1-FT |
FF75R12RT4HOSA1
Infineon Technologies
FF600R12IP4BOSA1
Infineon Technologies
FF600R12IE4BOSA1
Infineon Technologies
FF50R12RT4HOSA1
Infineon Technologies
FF450R12ME4BOSA1
Infineon Technologies
FF300R17ME4BOSA1
Infineon Technologies
FF200R17KE3HOSA1
Infineon Technologies
FF300R12KT4HOSA1
Infineon Technologies
FF200R06KE3HOSA1
Infineon Technologies
FF200R12KE4HOSA1
Infineon Technologies
EP20K60ETC144-2
Intel
XC6SLX25T-N3FG484C
Xilinx Inc.
A3PE3000L-FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX32A-FFG484
Microsemi Corporation
M1A3PE3000-2FG484
Microsemi Corporation
M1AFS250-1FG256
Microsemi Corporation
A42MX16-2PQG208I
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX04-3PL68
Microsemi Corporation
A54SX32A-1BGG329
Microsemi Corporation