casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / FP25R12KT3BOSA1
codice articolo del costruttore | FP25R12KT3BOSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-FP25R12KT3BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FP25R12KT3BOSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | - |
Configurazione | Three Phase Inverter |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 40A |
Potenza - Max | 155W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 25A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 5mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 1.8nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | Yes |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FP25R12KT3BOSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FP25R12KT3BOSA1-FT |
FF400R07KE4HOSA1
Infineon Technologies
FF400R12KE3B2HOSA1
Infineon Technologies
FF400R12KT3EHOSA1
Infineon Technologies
FF400R12KT3HOSA1
Infineon Technologies
FF400R12KT3PEHOSA1
Infineon Technologies
FF400R33KF2CNOSA1
Infineon Technologies
FF450R06ME3BOSA1
Infineon Technologies
FF450R12KE4EHOSA1
Infineon Technologies
FF450R12KE4PHOSA1
Infineon Technologies
FF450R12KT4PHOSA1
Infineon Technologies
XC2S150-6FGG456C
Xilinx Inc.
A42MX36-3BG272I
Microsemi Corporation
A3PN125-VQG100
Microsemi Corporation
EP4SGX230KF40C2
Intel
XC2VP40-7FFG1152C
Xilinx Inc.
ICE40LP1K-CM49TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE30F29C8
Intel
EP4CE75F29I7
Intel
EP3C25F324C8N
Intel
EP1K100QI208-2N
Intel