casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / FF450R06ME3BOSA1
codice articolo del costruttore | FF450R06ME3BOSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-FF450R06ME3BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FF450R06ME3BOSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configurazione | 2 Independent |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 550A |
Potenza - Max | 1250W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 450A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 5mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 28nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | Yes |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FF450R06ME3BOSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FF450R06ME3BOSA1-FT |
FB20R06W1E3B11HOMA1
Infineon Technologies
FB20R06W1E3BOMA1
Infineon Technologies
FB30R06W1E3BOMA1
Infineon Technologies
FD1000R17IE4BOSA2
Infineon Technologies
FD1000R17IE4DB2BOSA1
Infineon Technologies
FD1000R33HE3KBPSA1
Infineon Technologies
FD1000R33HL3KBPSA1
Infineon Technologies
FD1200R17HP4KB2BOSA2
Infineon Technologies
FD1200R17KE3KB2NOSA1
Infineon Technologies
FD1200R17KE3KNOSA1
Infineon Technologies
EX64-TQ64A
Microsemi Corporation
EPF8820ATC144-2N
Intel
LFE2-12SE-6T144C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7K3F40I3LN
Intel
5SGXMA7N2F45C3N
Intel
XC7VX690T-2FFG1158I
Xilinx Inc.
XC7V585T-2FFG1761C
Xilinx Inc.
M2GL060-1FGG676
Microsemi Corporation
5AGXFA5H4F35C5N
Intel