casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / FF450R06ME3BOSA1
codice articolo del costruttore | FF450R06ME3BOSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-FF450R06ME3BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FF450R06ME3BOSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configurazione | 2 Independent |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 550A |
Potenza - Max | 1250W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 450A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 5mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 28nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | Yes |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FF450R06ME3BOSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FF450R06ME3BOSA1-FT |
FB20R06W1E3B11HOMA1
Infineon Technologies
FB20R06W1E3BOMA1
Infineon Technologies
FB30R06W1E3BOMA1
Infineon Technologies
FD1000R17IE4BOSA2
Infineon Technologies
FD1000R17IE4DB2BOSA1
Infineon Technologies
FD1000R33HE3KBPSA1
Infineon Technologies
FD1000R33HL3KBPSA1
Infineon Technologies
FD1200R17HP4KB2BOSA2
Infineon Technologies
FD1200R17KE3KB2NOSA1
Infineon Technologies
FD1200R17KE3KNOSA1
Infineon Technologies
A3PN030-Z2QNG68
Microsemi Corporation
XCS10-3TQ144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000HE-6TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLE3000V5-FGG484
Microsemi Corporation
EPF6016ATC100-1
Intel
10CL006YU256I7G
Intel
EP3SE110F1152I4N
Intel
M1AFS1500-2FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-2MG132I
Lattice Semiconductor Corporation