casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / FF450R12KE4EHOSA1
codice articolo del costruttore | FF450R12KE4EHOSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-FF450R12KE4EHOSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FF450R12KE4EHOSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configurazione | 2 Independent |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 520A |
Potenza - Max | 2400W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 450A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 5mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 28nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FF450R12KE4EHOSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FF450R12KE4EHOSA1-FT |
FB20R06W1E3BOMA1
Infineon Technologies
FB30R06W1E3BOMA1
Infineon Technologies
FD1000R17IE4BOSA2
Infineon Technologies
FD1000R17IE4DB2BOSA1
Infineon Technologies
FD1000R33HE3KBPSA1
Infineon Technologies
FD1000R33HL3KBPSA1
Infineon Technologies
FD1200R17HP4KB2BOSA2
Infineon Technologies
FD1200R17KE3KB2NOSA1
Infineon Technologies
FD1200R17KE3KNOSA1
Infineon Technologies
FD200R12KE3HOSA1
Infineon Technologies
XC4005E-4PQ100C
Xilinx Inc.
XC7A15T-3CSG325E
Xilinx Inc.
A3P600-2PQG208I
Microsemi Corporation
M1A3P400-PQ208
Microsemi Corporation
EP4S40G2F40I3
Intel
EP4SGX530NF45I4N
Intel
5SGXEABK2H40I3LN
Intel
XA7A15T-1CSG324I
Xilinx Inc.
LFE2M50SE-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE80F780I4L
Intel