casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - RF / FMMTH10TC
codice articolo del costruttore | FMMTH10TC |
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Numero di parte futuro | FT-FMMTH10TC |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FMMTH10TC Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 25V |
Frequenza - Transizione | 650MHz |
Figura del rumore (dB Typ @ f) | 3dB ~ 5dB @ 500MHz |
Guadagno | - |
Potenza - Max | 330mW |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 4mA, 10V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 25mA |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FMMTH10TC Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FMMTH10TC-FT |
BFP843FH6327XTSA1
Infineon Technologies
BFG 193 E6433
Infineon Technologies
BFG 196 E6327
Infineon Technologies
BFG 19S E6327
Infineon Technologies
BFG 235 E6327
Infineon Technologies
BFG135AE6327XT
Infineon Technologies
BFR 181T E6327
Infineon Technologies
BFR 182T E6327
Infineon Technologies
BFR 183T E6327
Infineon Technologies
BFR 340T E6327
Infineon Technologies
EX64-TQG100A
Microsemi Corporation
XA2S200E-6FT256I
Xilinx Inc.
XC7K410T-L2FBG676E
Xilinx Inc.
XC7A35T-3FGG484E
Xilinx Inc.
EP1M120F484C7ES
Intel
5SGXEA7K3F35C4N
Intel
XC7VX330T-2FFG1157C
Xilinx Inc.
LFE2M100SE-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF1508C4N
Intel
EPF10K50VBC356-3N
Intel