casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - RF / BFR 182T E6327
codice articolo del costruttore | BFR 182T E6327 |
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Numero di parte futuro | FT-BFR 182T E6327 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BFR 182T E6327 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Transistor Type | NPN |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Frequenza - Transizione | 8GHz |
Figura del rumore (dB Typ @ f) | 1.2dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 1.8GHz |
Guadagno | 20dB |
Potenza - Max | 250mW |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 8V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 35mA |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-75, SOT-416 |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-SC-75 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BFR 182T E6327 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BFR 182T E6327-FT |
2N3866
Microsemi Corporation
2N3866A
Microsemi Corporation
MRF517
Microsemi Corporation
MRF544
Microsemi Corporation
MRF545
Microsemi Corporation
MRF586
Microsemi Corporation
MRF586G
Microsemi Corporation
MS1409
Microsemi Corporation
MS1649
Microsemi Corporation
SD1127
Microsemi Corporation
XC3S700A-5FTG256C
Xilinx Inc.
XC4085XLA-08HQ304I
Xilinx Inc.
A42MX36-BG272I
Microsemi Corporation
A54SX32A-FFGG484
Microsemi Corporation
M1AGL1000V5-FG484I
Microsemi Corporation
A3PN060-ZVQ100
Microsemi Corporation
EP2AGX125DF25C6
Intel
XC7A50T-1CPG236C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260EF29I3
Intel