casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - RF / BFR 182T E6327
codice articolo del costruttore | BFR 182T E6327 |
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Numero di parte futuro | FT-BFR 182T E6327 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BFR 182T E6327 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Transistor Type | NPN |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Frequenza - Transizione | 8GHz |
Figura del rumore (dB Typ @ f) | 1.2dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 1.8GHz |
Guadagno | 20dB |
Potenza - Max | 250mW |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 8V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 35mA |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-75, SOT-416 |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-SC-75 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BFR 182T E6327 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BFR 182T E6327-FT |
2N3866
Microsemi Corporation
2N3866A
Microsemi Corporation
MRF517
Microsemi Corporation
MRF544
Microsemi Corporation
MRF545
Microsemi Corporation
MRF586
Microsemi Corporation
MRF586G
Microsemi Corporation
MS1409
Microsemi Corporation
MS1649
Microsemi Corporation
SD1127
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000ZE-2TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX75-2CSG484C
Xilinx Inc.
XC4010E-3BG225I
Xilinx Inc.
M1AFS1500-FGG484
Microsemi Corporation
EP20K600EFC672-3
Intel
10M08DCF484C7G
Intel
EP3SL200H780C4L
Intel
XC4006E-3PC84I
Xilinx Inc.
LCMXO2-256ZE-1UMG64C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-25F-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation