casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - RF / BFG135AE6327XT
codice articolo del costruttore | BFG135AE6327XT |
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Numero di parte futuro | FT-BFG135AE6327XT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BFG135AE6327XT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Transistor Type | NPN |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 15V |
Frequenza - Transizione | 6GHz |
Figura del rumore (dB Typ @ f) | 1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz |
Guadagno | 9dB ~ 14dB |
Potenza - Max | 1W |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 100mA, 8V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 150mA |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-261-4, TO-261AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-SOT223-4 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BFG135AE6327XT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BFG135AE6327XT-FT |
BFG198,115
NXP USA Inc.
BFG591,115
NXP USA Inc.
2N3866
Microsemi Corporation
2N3866A
Microsemi Corporation
MRF517
Microsemi Corporation
MRF544
Microsemi Corporation
MRF545
Microsemi Corporation
MRF586
Microsemi Corporation
MRF586G
Microsemi Corporation
MS1409
Microsemi Corporation
A54SX32-1TQ144M
Microsemi Corporation
XC2VP40-7FGG676C
Xilinx Inc.
AGL600V5-FGG256
Microsemi Corporation
EP4CE6F17C7
Intel
5SGXEA7K3F40I4N
Intel
5SGXEA4H1F35C1N
Intel
XC7V585T-2FFG1761C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4B256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F45I2SG
Intel
EP2SGX130GF1508C4
Intel