casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / RN1502(TE85L,F)
codice articolo del costruttore | RN1502(TE85L,F) |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-RN1502(TE85L,F) |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RN1502(TE85L,F) Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
Potenza - Max | 300mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-74A, SOT-753 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMV |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN1502(TE85L,F) Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RN1502(TE85L,F)-FT |
RN2967(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2969(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2971(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1961(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2961(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2962(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2963(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2964(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2965(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1964TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
XC2S100E-6TQ144C
Xilinx Inc.
LFEC3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V6000-6FFG1517C
Xilinx Inc.
EP4SGX530HH35C3ES
Intel
XC5VLX30T-1FFG665C
Xilinx Inc.
XA6SLX45-2CSG324I
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FG144I
Microsemi Corporation
5CGXFC4C7U19C8N
Intel
10AX115S3F45E2SG
Intel
EP1S40F780C5N
Intel