casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / RN1509(TE85L,F)
codice articolo del costruttore | RN1509(TE85L,F) |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-RN1509(TE85L,F) |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RN1509(TE85L,F) Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 22 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 10mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
Potenza - Max | 300mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-74A, SOT-753 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMV |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN1509(TE85L,F) Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RN1509(TE85L,F)-FT |
PIMC31F
Nexperia USA Inc.
PIMD3F
Nexperia USA Inc.
RN1963(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1965(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1968(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1970(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1971TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1973(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2967(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2969(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage