codice articolo del costruttore | FMBA14 |
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Numero di parte futuro | FT-FMBA14 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FMBA14 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 1.2A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 100µA, 100mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20000 @ 100mA, 5V |
Potenza - Max | 700mW |
Frequenza - Transizione | 1.25MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SuperSOT™-6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FMBA14 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FMBA14-FT |
BCM847QASZ
Nexperia USA Inc.
BCM857QASZ
Nexperia USA Inc.
PMP4501QASZ
Nexperia USA Inc.
PMP5501QASZ
Nexperia USA Inc.
BC847QASX
NXP USA Inc.
PBSS4032SP,115
Nexperia USA Inc.
PBSS4021SN,115
Nexperia USA Inc.
PBSS4350SS,115
Nexperia USA Inc.
PBSS4021SP,115
Nexperia USA Inc.
PBSS4021SPN,115
Nexperia USA Inc.
A3PE3000-2FGG484I
Microsemi Corporation
EP2S60F672C5N
Intel
5SGXEA5N2F45C3N
Intel
EP4S100G4F45I3
Intel
XC5VLX50-2FF676I
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FGG676
Microsemi Corporation
AGL600V2-CSG281
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-7LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S60B956C6N
Intel
EPF10K200SBI356-2
Intel