casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / PBSS4350SS,115
codice articolo del costruttore | PBSS4350SS,115 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-PBSS4350SS,115 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PBSS4350SS,115 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 2.7A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 340mV @ 270mA, 2.7A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 300 @ 1A, 2V |
Potenza - Max | 2W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PBSS4350SS,115 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PBSS4350SS,115-FT |
NSVT45011MW6T3G
ON Semiconductor
SBC847CDW1T1G
ON Semiconductor
NST45011MW6T1G
ON Semiconductor
NSVBC848CDW1T1G
ON Semiconductor
SBC846BPDW1T2G
ON Semiconductor
SBC856BDW1T3G
ON Semiconductor
BC848CPDW1T1
ON Semiconductor
BC856BDW1T1
ON Semiconductor
BC857CDW1T1
ON Semiconductor
BC858CDW1T1
ON Semiconductor
M1A3P600-FG256I
Microsemi Corporation
A3P125-2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C20F484C7N
Intel
10CL016ZE144I8G
Intel
5SGSED8N3F45I4N
Intel
XC4013XL-3BG256C
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-6LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C40F324C7
Intel
EP4SGX230HF35I4
Intel
5SGSMD3H2F35I3LN
Intel