casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / RN1507(TE85L,F)
codice articolo del costruttore | RN1507(TE85L,F) |
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Numero di parte futuro | FT-RN1507(TE85L,F) |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RN1507(TE85L,F) Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
Potenza - Max | 300mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-74A, SOT-753 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMV |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN1507(TE85L,F) Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RN1507(TE85L,F)-FT |
RN2963(TE85L,F)
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RN2964(TE85L,F)
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RN2965(TE85L,F)
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XC6SLX150T-3FGG900C
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XCS30-3PQ208I
Xilinx Inc.
XC3S700A-4FGG484I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG484
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C3T100C8
Intel
5SGSMD5K3F40C2N
Intel
EP2AGX95DF25C6N
Intel
XC7VX690T-1FF1157C
Xilinx Inc.
5CEFA7U19C7N
Intel