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Toshiba Semiconductor and Storage RN2706JE(TE85L,F)

Numero parte MFG
RN2706JE(TE85L,F)
quantità disponibile
52240 pezzi
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fabbricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descrizione
- TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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Numero di parte futuro FT-RN2706JE(TE85L,F)
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
RN2706JE(TE85L,F) Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Discontinued at Future Semiconductor
Transistor Type 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Corrente - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Resistor - Base (R1) 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 47 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Limite del collettore (max) 100nA (ICBO)
Frequenza - Transizione 200MHz
Potenza - Max 100mW
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso SOT-553
Pacchetto dispositivo fornitore ESV
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RN2706JE(TE85L,F) Peso Contattaci
Numero parte di ricambio RN2706JE(TE85L,F)-FT

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