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Toshiba Semiconductor and Storage RN2706JE(TE85L,F)

Name: RN2706JE(TE85L,F)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: RN2706JE(TE85L,F)
Availability: InStock
Rating: 4.8 (83 reviews)

Numero parte MFG: RN2706JE(TE85L,F)

quantità disponibile: 52240 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descrizione: - TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: RN2706JE(TE85L,F).pdf

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RN2706JE(TE85L,F) specificazioni

codice articolo del costruttore	RN2706JE(TE85L,F)
Numero di parte futuro	FT-RN2706JE(TE85L,F)
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
RN2706JE(TE85L,F) Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Discontinued at Future Semiconductor
Transistor Type	2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Corrente - Collector (Ic) (Max)	100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V
Resistor - Base (R1)	4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)	47 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	80 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Limite del collettore (max)	100nA (ICBO)
Frequenza - Transizione	200MHz
Potenza - Max	100mW
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	SOT-553
Pacchetto dispositivo fornitore	ESV
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RN2706JE(TE85L,F) Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	RN2706JE(TE85L,F)-FT

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