casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / DRC2114W0L
codice articolo del costruttore | DRC2114W0L |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-DRC2114W0L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DRC2114W0L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 4.7 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 200mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | Mini3-G3-B |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRC2114W0L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DRC2114W0L-FT |
FJN4312RTA
ON Semiconductor
FJN4313RTA
ON Semiconductor
FJN4314RTA
ON Semiconductor
XP0NG8A00L
Panasonic Electronic Components
FJV3105RMTF
ON Semiconductor
BCR116E6327HTSA1
Infineon Technologies
BCR523E6327HTSA1
Infineon Technologies
FJV3113RMTF
ON Semiconductor
BCR108E6327HTSA1
Infineon Technologies
BCR135E6327HTSA1
Infineon Technologies
A40MX02-VQG80A
Microsemi Corporation
LCMXO2-640ZE-3TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
A3P1000-FGG484I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-6BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
10M40DCF256C7G
Intel
10AX027E3F29I2SG
Intel
5SGXEB6R3F43I3L
Intel
10AX115U1F45E1SG
Intel
EPF8282ALC84-3
Intel
EP20K200EBC356-2N
Intel